嘉定光交聯(lián)型光刻膠曝光

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現功能的要點(diǎn)，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩定性而較好的原材料則是光刻膠性能的基礎。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶(hù)是IC芯片和FPD面板制造商，不同的客戶(hù)會(huì )有不同的應用需求，同一個(gè)客戶(hù)也有不同的光刻應用需求。一般一塊半導體芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過(guò)程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類(lèi)似的光刻過(guò)程，不同的廠(chǎng)商也會(huì )有不同的要求。針對以上不同的應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過(guò)調整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現。因此，通過(guò)調整光刻膠的配方，滿(mǎn)足差異化的應用需求，是光刻膠制造商重要的技術(shù)。中國半導體光刻膠的快速崛起離不開(kāi)中國整體半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。嘉定光交聯(lián)型光刻膠曝光

日韓材料摩擦：半導體材料國產(chǎn)化是必然趨勢；2019年7月份，在日韓貿易爭端的背景下，日本宣布對韓國實(shí)施三種半導體產(chǎn)業(yè)材料實(shí)施禁運，包含刻蝕氣體，光刻膠和氟聚酰亞胺。韓國是全球存儲器生產(chǎn)基地，顯示屏生產(chǎn)基地，也是全球晶圓代工基地，三星，海力士，東部高科等一大批晶圓代工廠(chǎng)和顯示屏廠(chǎng)都需要日本的半導體材料。這三種材料直接掐斷了韓國存儲器和顯示屏的經(jīng)濟支柱。目前中國大陸對于電子材料，特別是光刻膠方面對國外依賴(lài)較高。所以在半導體材料方面的國產(chǎn)代替是必然趨勢。江浙滬PCB光刻膠顯影光刻膠按應用領(lǐng)域分類(lèi)，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過(guò)程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉移到晶片的過(guò)程中，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性 。在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力 。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中，進(jìn)行很多次的濕法腐蝕。只有光刻膠具有很強的抗蝕性，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形，更好體現器件性能。在干法刻蝕中，例如集成電路工藝中在進(jìn)行阱區和源漏區離子注入時(shí)，需要有較好的保護電路圖形的能力，否則光刻膠會(huì )因為在注入環(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度。此時(shí)注入的離子將不會(huì )起到其在電路制造工藝中應起到的作用，器件的電路性能受阻。

目前國內從事半導體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電、上海新陽(yáng)、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線(xiàn)、g線(xiàn)光刻膠生產(chǎn)為主，應用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領(lǐng)域，北京科華、博康已實(shí)現量產(chǎn)。國內在A(yíng)rF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對較快的企業(yè)為南大光電，其先后承擔國家02專(zhuān)項“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國內通過(guò)客戶(hù)驗證的國產(chǎn)ArF光刻膠，其他國內企業(yè)尚處于研發(fā)和驗證階段。半導體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉涂膠法，具體可以分為靜態(tài)旋轉法和動(dòng)態(tài)噴灑法。

從90年代后半期開(kāi)始，光刻光源就開(kāi)始采用248nm的KrF激光；而從2000年代開(kāi)始，光刻就進(jìn)一步轉向使用193nm波長(cháng)的ArF準分子激光作為光源。在那之后一直到目前的約20年里，193nm波長(cháng)的ArF準分子激光一直是半導體制程領(lǐng)域性能可靠，使用較多的光刻光源。一般而言，KrF（248nm）光刻膠使用聚對羥基苯乙烯及其衍生物作為成膜樹(shù)脂，使用磺酸碘鎓鹽和硫鎓鹽作為光致酸劑；而ArF（193nm）光刻膠則多使用聚甲基丙烯酸酯衍生物，環(huán)烯烴-馬來(lái)酸酐共聚物，環(huán)形聚合物等作為成膜樹(shù)脂；由于化學(xué)結構上的原因，Arf(193nm)光刻膠需要比KrF（248nm）光刻膠更加敏感的光致酸劑。光刻膠只是一種形象的說(shuō)法，因為光刻膠從外觀(guān)上呈現為膠狀液體。浙江光交聯(lián)型光刻膠顯影

在選擇光刻膠時(shí)需要考慮化學(xué)性質(zhì)、照射時(shí)間、敏感度和穩定性等因素，以確保所選的光刻膠能夠滿(mǎn)足制造要求。嘉定光交聯(lián)型光刻膠曝光

在雙重曝光工藝中，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區域發(fā)生光化學(xué)反應，就可以節省一次刻蝕，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。由于在非曝光區域光刻膠仍然會(huì )接受到相對少量的光刻輻射，在兩次曝光過(guò)程后，非曝光區域接受到的輻射有可能超過(guò)光刻膠的曝光閾值E0，而發(fā)生錯誤的光刻反應。如果非曝光區域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0，那么就是一次合格的雙重曝光。從這個(gè)例子可以看出，與單次曝光不同，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強度之間的權衡。嘉定光交聯(lián)型光刻膠曝光

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